onsemi N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, FDN357N
- RS-artikelnummer:
- 166-1718
- Tillv. art.nr:
- FDN357N
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
5 316,00 kr
(exkl. moms)
6 645,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 15 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,772 kr | 5 316,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 166-1718
- Tillv. art.nr:
- FDN357N
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | FDN357N | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.92mm | |
| Höjd | 0.94mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie FDN357N | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.92mm | ||
Höjd 0.94mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, FDN357N
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 1.9 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH108
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 (TO-236AB), SI2324BDS
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV213SN
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, ZXMN10A08E6 AEC-Q101