Nexperia N Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV213SN
- RS-artikelnummer:
- 725-8326
- Tillv. art.nr:
- PMV213SN,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Få en mängdrabatt
Lägg till 40 till för att spara 28,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
139,22 kr
(exkl. moms)
174,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 300 enhet(er) levereras från den 27 januari 2027
- Dessutom levereras 2 600 enhet(er) från den 12 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 20 - 20 | 6,961 kr | 139,22 kr | - |
| 40 - 80 | 6,261 kr | 125,22 kr | 28,00 kr |
| 100 + | 5,572 kr | 111,44 kr | 138,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 725-8326
- Tillv. art.nr:
- PMV213SN,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | PMV213SN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 250mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie PMV213SN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 250mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V och högre, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV213SN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH108
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 360 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002P
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 360 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138BK
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX7002AK
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV32UP
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 1.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV160UP