onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 1.9 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 761-9834
- Tillv. art.nr:
- FDC6306P
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
58,02 kr
(exkl. moms)
72,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 030 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 5,802 kr | 58,02 kr |
| 100 - 240 | 5,018 kr | 50,18 kr |
| 250 - 490 | 4,346 kr | 43,46 kr |
| 500 - 990 | 3,819 kr | 38,19 kr |
| 1000 + | 3,472 kr | 34,72 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-9834
- Tillv. art.nr:
- FDC6306P
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 270mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 960mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.8V | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 3mm | |
| Bredd | 1.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 270mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 960mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.8V | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 3mm | ||
Bredd 1.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 1.9 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 340 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.7 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.7 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench