DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 10 A 20 V Förbättring, 6 Ben, WDFN
- RS-artikelnummer:
- 165-8416
- Tillv. art.nr:
- DMN2013UFX-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
7 950,00 kr
(exkl. moms)
9 930,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,65 kr | 7 950,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-8416
- Tillv. art.nr:
- DMN2013UFX-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | WDFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 14mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.14W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V, -8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Längd | 2.1mm | |
| Höjd | 800μm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp WDFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 14mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.14W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V, -8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Bredd 5.1mm | ||
Längd 2.1mm | ||
Höjd 800μm | ||
Antal element per chip 2 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 12 V till 28 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 10 A 20 V Förbättring, 6 Ben, WDFN
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, WDFN
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 16 A 30 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench, SyncFET
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, WDFN, μCool
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MSOP
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 9.3 A 20 V Förbättring, 7 Ben, UDFN AEC-Q101
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 1.38 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 540 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-26 AEC-Q101