DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 540 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-26 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 823-2927
- Tillv. art.nr:
- DMN2004DMK-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
94,075 kr
(exkl. moms)
117,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 08 februari 2027
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | 3,763 kr | 94,08 kr |
| 150 - 725 | 2,15 kr | 53,75 kr |
| 750 - 1475 | 1,918 kr | 47,95 kr |
| 1500 + | 1,877 kr | 46,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 823-2927
- Tillv. art.nr:
- DMN2004DMK-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 540mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-26 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 900mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 225mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Standarder/godkännanden | MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0, RoHS | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Längd | 3.1mm | |
| Bredd | 1.7mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 540mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-26 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 225mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Standarder/godkännanden MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0, RoHS | ||
Höjd 1.3mm | ||
Längd 3.1mm | ||
Bredd 1.7mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 540 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-26 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Liten signal, 2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-26 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 580 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-26 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SOT-26 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-26, DMP3056LDM AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 1.38 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 540 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 260 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
