DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MSOP
- RS-artikelnummer:
- 122-3266
- Tillv. art.nr:
- ZXMD63N03XTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 122-3266
- Tillv. art.nr:
- ZXMD63N03XTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Kanaltyp | N | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 2.3 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 30 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | MSOP | |
| Höjd | 950 μm | |
| Längd | 3.1 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 200 mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | 20 V, -20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 1.25 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Bredd | 3.1 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Antal element per chip 2 | ||
Kanaltyp N | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 2.3 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 30 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp MSOP | ||
Höjd 950 μm | ||
Längd 3.1 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 200 mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) 20 V, -20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 1.25 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Yta | ||
Bredd 3.1 mm | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 10 A 20 V Förbättring, 6 Ben, WDFN
- Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, MSOP, HEXFET
- Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MSOP, HEXFET
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 8.6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TSSOP AEC-Q101
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
