onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 16 A 30 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench, SyncFET

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

87,25 kr

(exkl. moms)

109,05 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 1 210 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4517,45 kr87,25 kr
50 - 9515,03 kr75,15 kr
100 - 49513,036 kr65,18 kr
500 - 99511,446 kr57,23 kr
1000 +10,438 kr52,19 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
806-3490
Tillv. art.nr:
FDMC7208S
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

16A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

WDFN

Serie

PowerTrench, SyncFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

7.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

1.9W

Framåtriktad spänning Vf

0.82V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

13nC

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

3mm

Höjd

0.75mm

Längd

3mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® SyncFET™ Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor


Designed to minimise losses in power conversion, while maintaining excellent switching performance

High Performance Trench Technology for extremely low RDS(on)

SyncFET™ benefits from an efficient Schottky body diode

Applications in Synchronous Rectification DC-DC Converter, Motor Drives, networking point of load Low Side Switch

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.