onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 16 A 30 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench, SyncFET
- RS-artikelnummer:
- 806-3490
- Tillv. art.nr:
- FDMC7208S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
87,25 kr
(exkl. moms)
109,05 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Slutlig(a) 1 210 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 17,45 kr | 87,25 kr |
| 50 - 95 | 15,03 kr | 75,15 kr |
| 100 - 495 | 13,036 kr | 65,18 kr |
| 500 - 995 | 11,446 kr | 57,23 kr |
| 1000 + | 10,438 kr | 52,19 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 806-3490
- Tillv. art.nr:
- FDMC7208S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | WDFN | |
| Serie | PowerTrench, SyncFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.9W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 820mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, -12V, +12V, +20V | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3mm | |
| Höjd | 750μm | |
| Längd | 3mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp WDFN | ||
Serie PowerTrench, SyncFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.9W | ||
Framåtriktad spänning Vf 820mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, -12V, +12V, +20V | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3mm | ||
Höjd 750μm | ||
Längd 3mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® SyncFET™ Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
Relaterade länkar
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 16 A 30 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench, SyncFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 16 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 238 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 22 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 130 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
