Infineon N Kanal, MOSFET, 110 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 827-0070
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-424
- Tillv. art.nr:
- BSS131H6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 250 enheter)*
728,25 kr
(exkl. moms)
910,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 9 000 enhet(er) levereras från den 23 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | 2,913 kr | 728,25 kr |
| 500 - 1000 | 1,543 kr | 385,75 kr |
| 1250 - 2250 | 1,455 kr | 363,75 kr |
| 2500 - 6000 | 1,339 kr | 334,75 kr |
| 6250 + | 1,253 kr | 313,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-0070
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-424
- Tillv. art.nr:
- BSS131H6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 240V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 360mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.81V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 2.9mm | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 240V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 360mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.81V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 2.9mm | ||
Bredd 1.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS-serien MOSFET, 240 V maximal drain-källspänning, 110 mA maximal kontinuerlig drain-ström – BSS131H6327XTSA1
Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal-förstärkningsläge som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i kompakt elektronik. Den fungerar över ett brett temperaturområde som lämpar sig för krävande miljöer och är avsedd för tillämpningar som kräver kontrollerad ledning av avtappningskälla med måttlig kontinuerlig strömkapacitet.
Funktioner och fördelar:
• 240 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsswitchning
• 110 mA kontinuerlig dräneringskapacitet stöder lågströmslaster
• Gränsen för 20 V gate-source skyddar mot överdriven gate-belastning
• Maximal RDS(on) på 20 Ω förenklar värmehantering vid låga strömmar
• 2,1 nC typisk grindladdning minskar drivenergikrav
• 360 mW effektförlust passar små formfaktor-termiska budgetar
• 110 mA kontinuerlig dräneringskapacitet stöder lågströmslaster
• Gränsen för 20 V gate-source skyddar mot överdriven gate-belastning
• Maximal RDS(on) på 20 Ω förenklar värmehantering vid låga strömmar
• 2,1 nC typisk grindladdning minskar drivenergikrav
• 360 mW effektförlust passar små formfaktor-termiska budgetar
Användningsområden
• Lämplig för omkoppling av sensorer i fordon
• Idealisk för styrkretsar för batterihantering
• Används för lågströmsmotor-drivare grindsteg
• Kan användas för nivåförskjutning och skyddsfunktioner
• Används med handhållna och bärbara instrument
• Idealisk för styrkretsar för batterihantering
• Används för lågströmsmotor-drivare grindsteg
• Kan användas för nivåförskjutning och skyddsfunktioner
• Används med handhållna och bärbara instrument
Vilket paket och vilken monteringsmetod använder den för kretskortsmontering?
Den levereras i ett SOT-23-paket konfigurerat för ytmonterad placering för att passa automatiserade lödprocesser.
Vilka miljöextrema kan den motstå under drift?
Enheten är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C för att rymma breda termiska utflykter.
Hur kompakt är enheten för utrymmesbegränsade konstruktioner?
Förpackningens fotavtryck mäter 2,9 mm i längd och 1,3 mm i bredd medan komponenthöjden är 1,0 mm för applikationer med trånga layouter.
Uppfyller den någon fordonskvalificeringsstandard för fordonsanvändning?
Den uppfyller fordonsstandarden AEC-Q101 för stresskärmning av halvledare.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 260 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 330 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 170 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101