Vishay N Kanal, MOSFET, 8.1 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHF840S
- RS-artikelnummer:
- 165-5999
- Tillv. art.nr:
- SIHF840STRL-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
10 045,60 kr
(exkl. moms)
12 556,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | 12,557 kr | 10 045,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-5999
- Tillv. art.nr:
- SIHF840STRL-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | SiHF840S | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 850mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie SiHF840S | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 850mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.83mm | ||
Bredd 9.65mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8.1 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHF840S
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8.1 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHF634S
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4435DDY
- Vishay N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHF630S
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHF530S
- Vishay N Kanal, MOSFET, 3.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHFBC30AS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 5.2 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHF620S