IXYS N Kanal, MOSFET, 48 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET
- RS-artikelnummer:
- 920-0870
- Tillv. art.nr:
- IXFK48N50
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Antal (1 rör med 25 enheter)*
6 412,90 kr
(exkl. moms)
8 016,125 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 250 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 + | 256,516 kr | 6 412,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 920-0870
- Tillv. art.nr:
- IXFK48N50
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 48A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Kapseltyp | TO-264 | |
| Serie | HiperFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 270nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 500W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 26.16mm | |
| Längd | 19.96mm | |
| Bredd | 5.13mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 48A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Kapseltyp TO-264 | ||
Serie HiperFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 270nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 500W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 26.16mm | ||
Längd 19.96mm | ||
Bredd 5.13mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™-serie
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 78 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Polar3
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Polar3
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Polar3