Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 330 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

1 839,00 kr

(exkl. moms)

2 298,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 33 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30000,613 kr1 839,00 kr
6000 - 120000,582 kr1 746,00 kr
15000 +0,545 kr1 635,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
145-8801
Tillv. art.nr:
BSS83PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

330mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

SIPMOS

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

360mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

-1.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

2.38nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.3mm

Längd

2.9mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 3 Ω maximal drain-källresistans – BSS83PH6327XTSA1


Denna p-kanals MOSFET är en ytmonterad switchtransistor som är utformad för kompakta effektstyrningsroller i elektroniska monteringar. Den fungerar som en förstärkningsenhet som är lämplig för lågströmsomkoppling i system som kräver ett brett drifttemperaturområde och kompatibilitet med fordonskrav.

Funktioner och fördelar:


• 60 V drain-source-klassning möjliggör högre spänningsomkopplingstillämpningar
• Maximal Rds på 3 Ω minskar ledningsförluster under påslagningstillståndet
• Kontinuerlig dräneringsström på 330 mA med stöd för småsignalväxling
• 2,38 nC typisk grindladdning ger snabbare grindövergångar
• Maximal gate-källspänning på 20 V möjliggör flexibla gate-drivenivåer
• AEC-Q101-kvalificering säkerställer lämplighet för fordonselektronik

Användningsområden


• Lämplig för batterihantering och belastningsfrånkopplingskretsar
• Idealisk för signalväxling i fordonssensorgränssnitt
• Används med regulator med låg effekt och omkopplingssteg för elskena
• Kan användas för skydd mot omvänd polaritet i kompakta enheter
• Lämplig för ytmonterade prototyper och täta kretskortslayouter

Vilka termiska extremer kan enheten tolerera i verklig användning?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i både koldstarts- och högtemperaturmiljöer utan att minska den grundläggande funktionaliteten.

Hur påverkar förpackningen montering och layout på kortnivå?


SOT-23-paketet för ytmontering är kompakt och lämpar sig för automatiserad placering, vilket möjliggör snäva komponentavstånd och förenklad värmeledning till kretskortet.

Vilken effektförlust bör konstruktörer förvänta sig under normala förhållanden?


Enheten har en maximal effektförlust på 360 mW, vilket bör beaktas i termiska beräkningar och termisk dyna för att förhindra överhettning.

Hur påverkar komponentens grindladdning omkopplingsprestanda?


En typisk grindladdning på 2,38 nC minimerar behovet av grinddrivarenergi, vilket förbättrar omkopplingshastigheten och minskar drivströmmen för lågfrekventa eller pulstillämpningar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.