Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 330 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 145-8801
- Tillv. art.nr:
- BSS83PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 839,00 kr
(exkl. moms)
2 298,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 33 000 enhet(er) från den 10 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,613 kr | 1 839,00 kr |
| 6000 - 12000 | 0,582 kr | 1 746,00 kr |
| 15000 + | 0,545 kr | 1 635,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 145-8801
- Tillv. art.nr:
- BSS83PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 330mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 360mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.38nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 330mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 360mW | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.38nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® MOSFETar med P-kanal
Anoden Infineon SIPMOS® small Signals P-kanal-MOSFET:er har flera egenskaper som kan inkludera enhancement mode, kontinuerlig dräneringsström så låg som -80A samt ett brett driftstemperaturområde. SIPMOS Power-transistorn kan användas i en mängd olika applikationer, t.ex. telekom, eMobility, bärbara datorer, DC/DC-enheter samt inom fordonsindustrin.
- Kvalificerad enligt AEC Q101 (se datablad)
- Pb-fri blyplätering, RoHS-kompatibel
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 330 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 170 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 430 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101