Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 190 mA 250 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 753-2848
- Tillv. art.nr:
- BSS192PH6327FTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 4%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
38,75 kr
(exkl. moms)
48,44 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 760 enhet(er) levereras från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 3,875 kr | 38,75 kr | - |
| 100 - 240 | 3,685 kr | 36,85 kr | 4% |
| 250 - 490 | 3,606 kr | 36,06 kr | 6% |
| 500 - 990 | 3,371 kr | 33,71 kr | 13% |
| 1000 + | 3,136 kr | 31,36 kr | 19% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 753-2848
- Tillv. art.nr:
- BSS192PH6327FTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 190mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Kapseltyp | SOT-89 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 4.5mm | |
| Bredd | 2.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 190mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Kapseltyp SOT-89 | ||
Serie SIPMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 4.5mm | ||
Bredd 2.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS-serien MOSFET, 250 V maximal drain-källspänning, 190 mA maximal kontinuerlig drain-ström – BSS192PH6327FTSA1
Denna MOSFET är en P-kanal-enhet som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande elektriska miljöer. Den fungerar som en förstärkningstransistor som är lämplig för tillämpningar som kräver kontrollerad högspänningsswitchning och hantering av låg kontinuerlig ström, och fungerar över ett brett temperaturområde för användning i reglerade system och fordonselektronik.
Funktioner och fördelar:
• 250 V drain‐source-klassning möjliggör högspänningsväxlingskapacitet
• Kontinuerlig dräneringsström på 190 mA med stöd för kontroll av lågströmsbelastning
• Maximal Rds på 20 Ω minskar ledningsförlusten i lågströmskretsar
• 4,9 nC typisk grindladdning vid Vgs säkerställer förutsägbart omkopplingsbeteende
• 20 V grind-källgräns möjliggör enkla grinddrivkonstruktioner
• Maximal effektförlust på 1 W hanterar termiska begränsningar i kompakta layouter
• Kontinuerlig dräneringsström på 190 mA med stöd för kontroll av lågströmsbelastning
• Maximal Rds på 20 Ω minskar ledningsförlusten i lågströmskretsar
• 4,9 nC typisk grindladdning vid Vgs säkerställer förutsägbart omkopplingsbeteende
• 20 V grind-källgräns möjliggör enkla grinddrivkonstruktioner
• Maximal effektförlust på 1 W hanterar termiska begränsningar i kompakta layouter
Användningsområden
• Lämplig för omkoppling av sensorspänning i fordon
• Idealisk för skyddskretsar med låg effekt och omvänd polaritet
• Används med högspänningsbatterihanteringssystem
• Kan användas för att byta ut små reläer i styrmoduler
• Lämplig för ytmonterad strömfördelning på kompakta kort
• Idealisk för skyddskretsar med låg effekt och omvänd polaritet
• Används med högspänningsbatterihanteringssystem
• Kan användas för att byta ut små reläer i styrmoduler
• Lämplig för ytmonterad strömfördelning på kompakta kort
Vilket temperaturområde kan den tolerera under tuffa förhållanden?
Den fungerar tillförlitligt från -55 °C upp till 150 °C för att passa miljöer med utökade temperaturer.
Hur många stift har paketet för kretskortslayout?
Komponenten levereras med tre stift, vilket möjliggör standard SOT‐89-fotavtryck.
Vilken förpackningstyp bör designers förvänta sig för montering?
Den levereras i ett SOT‐89-paket för ytmontering, skräddarsydd för kompakta kretskortsdesigner.
Är enheten klassad för fordonskvalificeringsstandarder?
Den överensstämmer med AEC-Q101 och uppfyller industrins stressträngar för fordonsanvändning.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 190 mA 250 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 260 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 260 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 430 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 330 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.17 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101