Infineon N Kanal, MOSFET, 69 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 2
- RS-artikelnummer:
- 145-8707
- Tillv. art.nr:
- IPP12CN10LGXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
461,00 kr
(exkl. moms)
576,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 550 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 9,22 kr | 461,00 kr |
| 100 - 200 | 8,297 kr | 414,85 kr |
| 250 + | 7,437 kr | 371,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 145-8707
- Tillv. art.nr:
- IPP12CN10LGXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 69A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 58nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.36mm | |
| Höjd | 15.95mm | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 69A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 58nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.36mm | ||
Höjd 15.95mm | ||
Bredd 4.57mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET-familj
Infineons OptiMOS™2 N-Channel-familjen erbjuder branschens lägsta on-state-resistans inom sin spänningsgrupp. Power MOSFET-serien kan användas i många applikationer, t.ex. högfrekvent telekom, datakom, solenergi, lågspänningsdrift och strömförsörjning för servrar. Anoden OptiMOS 2 produktfamiljen sträcker sig från 20V och uppåt och erbjuder ett urval av olika kapslingstyper.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 69 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 2
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3