Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 214-4404
- Tillv. art.nr:
- IPP023N08N5AKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
284,93 kr
(exkl. moms)
356,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 390 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 56,986 kr | 284,93 kr |
| 25 - 45 | 52,932 kr | 264,66 kr |
| 50 - 120 | 49,572 kr | 247,86 kr |
| 125 - 245 | 46,144 kr | 230,72 kr |
| 250 + | 42,74 kr | 213,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4404
- Tillv. art.nr:
- IPP023N08N5AKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 133nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 15.93mm | |
| Längd | 10.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 133nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 15.93mm | ||
Längd 10.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Denna Infineon OptiMOS 5 MOSFET är idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktering. Det kräver mindre parallellkoppling.
Den har minskade omkopplings- och ledningsförluster
Den har låg spänningsöverskridning
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3