Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 145-9265
- Tillv. art.nr:
- IPP052N06L3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 100 till för att spara 334,40 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
880,30 kr
(exkl. moms)
1 100,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 500 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 500 enhet(er) från den 25 mars 2027
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 17,606 kr | 880,30 kr | - |
| 100 - 200 | 14,262 kr | 713,10 kr | 334,40 kr |
| 250 - 450 | 13,207 kr | 660,35 kr | 1 099,75 kr |
| 500 - 950 | 12,501 kr | 625,05 kr | 2 552,50 kr |
| 1000 + | 11,446 kr | 572,30 kr | 6 160,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 145-9265
- Tillv. art.nr:
- IPP052N06L3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 115W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.36mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Höjd | 15.95mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 115W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.36mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.57mm | ||
Höjd 15.95mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 till 80V
MOSFET-transistorer, Infineon
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
