Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 892-2368
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-437
- Tillv. art.nr:
- IPP042N03LGXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 20 till för att spara 40%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
143,81 kr
(exkl. moms)
179,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 20 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 820 enhet(er) från den 12 november 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 10 | 14,381 kr | 143,81 kr | - |
| 20 - 90 | 8,579 kr | 85,79 kr | 40% |
| 100 - 240 | 8,288 kr | 82,88 kr | 42% |
| 250 - 490 | 8,109 kr | 81,09 kr | 43% |
| 500 + | 7,918 kr | 79,18 kr | 44% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 892-2368
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-437
- Tillv. art.nr:
- IPP042N03LGXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 79W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 15.95mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 79W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 15.95mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.57mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, upp till 40V
MOSFET-transistorer, Infineon
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 70 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS™ 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V N, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 88 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
