Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 215-2537
- Distrelec artikelnummer:
- 304-39-409
- Tillv. art.nr:
- IPP057N06N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
248,02 kr
(exkl. moms)
310,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 380 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 12,401 kr | 248,02 kr |
| 100 - 180 | 11,781 kr | 235,62 kr |
| 200 - 480 | 11,285 kr | 225,70 kr |
| 500 - 980 | 10,789 kr | 215,78 kr |
| 1000 + | 10,045 kr | 200,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2537
- Distrelec artikelnummer:
- 304-39-409
- Tillv. art.nr:
- IPP057N06N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 82nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 115W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 82nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 115W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS™ 60V är ett perfekt val för synkron likriktning i switchade nätaggregat (SMPS), t.ex. i servrar, stationära datorer och surfplatteladdare. Dessutom kan dessa enheter användas för ett brett spektrum av industriella applikationer, t.ex. motorstyrning, mikroinverterare för solenergi och snabbkopplande DC-DC-omvandlare.
Utmärkt grindladdning x R DS(on)-produkt (FOM)
Mycket låg på-resistans R DS(on)
Idealisk för applikationer med snabb omkoppling
RoHS-kompatibel - halogenfri
MSL1 betygsatt
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T2