Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH205G2 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 255,00 kr

(exkl. moms)

4 068,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 3 000 enhet(er) levereras från den 18 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,085 kr3 255,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
136-4786
Tillv. art.nr:
BSH205G2R
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

BSH205G2

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

170mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

6.25W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8 V

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.7nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3mm

Bredd

1.4 mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

P-kanal MOSFET, Nexperia


MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors


Relaterade länkar