Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, -3.3 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 151-3159
- Tillv. art.nr:
- PMV65XPEAR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
223,10 kr
(exkl. moms)
278,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 950 enhet(er) levereras från den 30 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 4,462 kr | 223,10 kr |
| 250 - 450 | 2,464 kr | 123,20 kr |
| 500 - 1200 | 2,164 kr | 108,20 kr |
| 1250 - 2450 | 1,971 kr | 98,55 kr |
| 2500 + | 1,92 kr | 96,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-3159
- Tillv. art.nr:
- PMV65XPEAR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -3.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.25W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -3.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 6.25W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
MOSFETs för fordonsindustrin, världens största portfölj av AEC-Q101-kvalificerade kraft-MOSFETs, En djupgående förståelse för systemkrav inom fordonsindustrin och en fokuserad teknisk förmåga gör att Nexperia kan erbjuda krafthalvledarlösningar för ett brett spektrum av applikationer. Från att driva en enkel lampa till de sofistikerade behoven av effektstyrning i motor-, kaross- eller chassiapplikationer kan Nexperias effekthalvledare ge svaret på många effektproblem i fordonssystem.
Överensstämmer med AEC-Q101
Upprepade laviner klassade
Lämplig för termiskt krävande miljöer tack vare 175°C-klassning
20 V, P-kanalig Trench MOSFET, P-kanalig Fält-Effekt Transistor (FET) i ett litet SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plasthölje med Trench MOSFET-teknik.
Trench MOSFET-teknik
Mycket snabb omkoppling
Förbättrad förmåga till effektförlust: Ptot = 890 mW
Skydd mot elektrostatisk urladdning (ESD) 2 kV HBM
AEC-Q101-godkänd
Relaterade länkar
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, -3.3 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, -5.6 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, -5.3 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH205G2 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV250EPEA AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP2160U AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG2305UX AEC-Q101