Infineon N Kanal, MOSFET, 190 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 130-0998
- Tillv. art.nr:
- IRFS4010TRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
89,82 kr
(exkl. moms)
112,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- 2 kvar, redo att levereras
- Sista 2 enhet(er) levereras från den 21 oktober 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 44,91 kr | 89,82 kr |
| 20 - 48 | 40,43 kr | 80,86 kr |
| 50 - 98 | 37,745 kr | 75,49 kr |
| 100 - 198 | 35,00 kr | 70,00 kr |
| 200 + | 19,375 kr | 38,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 130-0998
- Tillv. art.nr:
- IRFS4010TRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 190A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 380W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 190A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 380W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 9.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET 100V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 190 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 190 A 100 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 200 V Förbättring, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 190 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 293 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 48 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET