Infineon N Kanal, MOSFET, 190 A 100 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2642
Tillv. art.nr:
IRLS4030TRL7PP
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

190A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

4.1mΩ

Maximal effektförlust Pd

370W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

140nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

15.3mm

Bredd

4.55mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.35mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons 100 V HEXFET-effekt-MOSFET med enkel N-kanal i ett 7-stifts D2-Pak-paket.

Optimerad för logiknivådrivning

Mycket låg RDS(ON) vid 4,5 V VGS

Överlägsen R*Q vid 4,5 V VGS I

Förbättrad gate-, avalanche- och dynamisk dV/dt-tålighet

Fullt karakteriserad kapacitet och Avalanche SOA

Förbättrad kroppsdiod dV/dt- och dI/dt-kapacitet

Blyfri

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.