Infineon N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 165-5873
- Tillv. art.nr:
- BSS119NH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 227,00 kr
(exkl. moms)
1 533,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,409 kr | 1 227,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-5873
- Tillv. art.nr:
- BSS119NH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 190mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.9mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 190mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.9mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 190 mA maximal kontinuerlig drain-ström – BSS119NH6327XTSA1
Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för omkopplings- och förstärkningsuppgifter i kompakta elektroniska enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och är avsedd för användning där låg effektförlust och blygsam strömkapacitet är acceptabla. Enheten levereras i en trepolig SOT-23-kapsel optimerad för automatiserad kretskortsmontering.
Funktioner och fördelar:
• 100 V drain-to-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• Maximal Rds på 10 Ω ger låga ledningsförluster för små laster
• Maximal effektförlust på 500 mW hanterar termisk belastning i kompakta kretsar
• Kontinuerlig dräneringsström på 190 mA stöder lågströmsstyrningstillämpningar
• 0.6 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare omkoppling med minimal drivenergi
• ±20 V gate-tolerans för ett brett gate-drivområde
• Maximal Rds på 10 Ω ger låga ledningsförluster för små laster
• Maximal effektförlust på 500 mW hanterar termisk belastning i kompakta kretsar
• Kontinuerlig dräneringsström på 190 mA stöder lågströmsstyrningstillämpningar
• 0.6 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare omkoppling med minimal drivenergi
• ±20 V gate-tolerans för ett brett gate-drivområde
Användningsområden
• Lämplig för omkoppling och styrning av sensorsignaler i fordon
• Idealisk för allmän strömhantering med låg strömförbrukning
• Används med övervakningskretsar för batterihantering i fordon
• Kan användas för nivåväxling med liten signal och hög spänning
• Används för grindstegsdrivare i omvandlarkonstruktioner med låg effekt
• Idealisk för allmän strömhantering med låg strömförbrukning
• Används med övervakningskretsar för batterihantering i fordon
• Kan användas för nivåväxling med liten signal och hög spänning
• Används för grindstegsdrivare i omvandlarkonstruktioner med låg effekt
Vilken monteringsmetod krävs för kretskortsmontering?
Den är avsedd för ytmontering i ett SOT-23-fotavtryck med tre terminaler som är kompatibelt med vanliga pick-and-place-processer.
Hur beter den sig i extrema temperaturer?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket upprätthåller funktionalitet över termiska områden av fordonskvalitet.
Vilka överväganden bör tas när det gäller grinddrivning?
Enheten accepterar upp till ±20 V på grinden och har en låg typisk grindladdning på 0,6 nC, vilket minskar drivenergikrav och möjliggör mindre drivkretsar.
Vilket mekaniskt hölje bör konstruktörer tillåta?
Kapseln mäter 2,9 x 1,3 x 1 mm, vilket möjliggör täta kretskortslayouter samtidigt som den ger den nödvändiga krypavståndet för sin spänningsklass.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 540 mA 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.18 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101