Infineon N Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q

RS-artikelnummer:: 911-4820
Tillv. art.nr:: BSP603S2LHUMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

37 668,00 kr

(exkl. moms)

47 084,00 kr

(inkl. moms)

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter	Per enhet	Per rulle*
4000 +	9,417 kr	37 668,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 911-4820
Tillv. art.nr:: BSP603S2LHUMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	5.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds	55V
	Serie	OptiMOS
	Kapseltyp	SOT-223
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	33mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	31nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	1.8W
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.6mm
	Bredd	3.5mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	6.5mm
	Fordonsstandard	AEC-Q

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds 55V
	Serie OptiMOS
	Kapseltyp SOT-223
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 33mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 1.8W
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.6mm
	Bredd 3.5mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 6.5mm
	Fordonsstandard AEC-Q

Infineon OptiMOS™ Series MOSFET, 5.2A Maximum Continuous Drain Current, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP603S2LHUMA1

This N-channel MOSFET is engineered for efficient performance across various electrical applications. With a maximum continuous drain current of 5.2A and a maximum drain-source voltage of 55V, it provides robust capabilities for power management and control, making it an important component for professionals in automotive and electronics industries.

Features & Benefits

• Low RDS(on) minimises power loss during operation

• Maximum gate threshold voltage improves switching efficiency

• Surface mount design facilitates integration into compact PCBs

• AEC-qualified to meet stringent automotive standards

• High-temperature operation rated up to +150°C for durability

Applications

• Power management in automotive electronics

• Suitable for DC-DC converters in electric vehicles

• Utilised in motor control for robotics and automation

• Load switch in consumer electronics

What is the typical gate charge at 10V?

The typical gate charge is 31nC, optimising switching performance at 10V.

Is this suitable for applications in high-temperature environments?

Yes, it operates reliably at temperatures up to +150°C, ideal for challenging conditions.

How does this component handle significant current loads?

With a maximum continuous drain current of 5.2A, it effectively manages high loads while maintaining performance.

Can this MOSFET effectively reduce energy losses?

Yes, the low RDS(on) feature minimises on-state resistance, aiding in reducing energy losses during operation.

Does this product adhere to environmental standards?

Yes, it is RoHS compliant, ensuring it meets environmental safety standards for electronic components.