ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, TSMT, RUR020N02
- RS-artikelnummer:
- 124-6841
- Tillv. art.nr:
- RUR020N02TL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
63,725 kr
(exkl. moms)
79,65 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 2,549 kr | 63,73 kr |
| 125 - 225 | 2,182 kr | 54,55 kr |
| 250 - 600 | 1,886 kr | 47,15 kr |
| 625 - 1225 | 1,604 kr | 40,10 kr |
| 1250 + | 1,496 kr | 37,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-6841
- Tillv. art.nr:
- RUR020N02TL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | TSMT | |
| Serie | RUR020N02 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 240mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp TSMT | ||
Serie RUR020N02 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 240mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.95mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM
MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 100 V Förbättring, 3 Ben, TSMT-3, RQ5
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 3 Ben, TSMT-3, RQ5
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TSMT, RQ5E035BN
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, TSMT, RUR040N02
- ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 40 V Förbättring, TSMT-8, RQ7L055BG AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8KB6
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8KC6