ROHM N Kanal, MOSFET, 8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8KB6
- RS-artikelnummer:
- 235-2666
- Tillv. art.nr:
- QH8KB6TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
67,42 kr
(exkl. moms)
84,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 6,742 kr | 67,42 kr |
| 50 - 90 | 6,597 kr | 65,97 kr |
| 100 - 240 | 5,354 kr | 53,54 kr |
| 250 - 990 | 5,174 kr | 51,74 kr |
| 1000 + | 5,085 kr | 50,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 235-2666
- Tillv. art.nr:
- QH8KB6TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TSMT-8 | |
| Serie | QH8KB6 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.1mm | |
| Höjd | 2.9mm | |
| Bredd | 0.85mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TSMT-8 | ||
Serie QH8KB6 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.1mm | ||
Höjd 2.9mm | ||
Bredd 0.85mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM dubbel N-kanal MOSFET som stöder 40 V hållspänning. Den är utformad för 24 V-ingångsutrustning som t.ex. fabriksautomationsutrustning och motorer monterade på basstationer. Produkten består av en N-kanal MOSFET med låg påslagningsresistans som reduceras med 58 %. Detta bidrar till låg strömförbrukning av olika enheter.
Litet paket för ytmontering
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfri
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8KB6
- ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8KC6
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8KC5
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8KB5
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 40 V Förbättring, TSMT-8, RQ7L055BG AEC-Q101
- ROHM Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8MB5
- ROHM Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8MC5