ROHM Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 3 Ben, TSMT-3, RQ5
- RS-artikelnummer:
- 265-473
- Tillv. art.nr:
- RQ5L045BGTCL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 25 enheter)*
146,275 kr
(exkl. moms)
182,85 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 5,851 kr | 146,28 kr |
| 100 - 225 | 5,56 kr | 139,00 kr |
| 250 - 475 | 5,143 kr | 128,58 kr |
| 500 - 975 | 4,735 kr | 118,38 kr |
| 1000 + | 4,561 kr | 114,03 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 265-473
- Tillv. art.nr:
- RQ5L045BGTCL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TSMT-3 | |
| Serie | RQ5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 32mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TSMT-3 | ||
Serie RQ5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 32mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM Power MOSFET har låg påslagningsresistans, vilket gör den mycket effektiv för omkopplingstillämpningar, motorstyrningar och DC/DC-omvandlare. Dess design säkerställer optimal prestanda och tillförlitlighet i en mängd olika elektroniska kretsar.
RoHS-kompatibel
Låg påslagningsresistans
Blyfri plätering
Halogenfria
100 procent Rg- och UIS-testat
Litet paket för ytmontering
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 100 V Förbättring, 3 Ben, TSMT-3, RQ5
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 40 V Förbättring, 3 Ben, TSMT-3, RQ5 AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, TSMT, RUR020N02
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TSMT, RQ5E035BN
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, TSMT, RUR040N02
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8KC5
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, TSMT-3, RQ5C035BC
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 45 V Förbättring, 3 Ben, TSMT, RQ5H020SP