ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8
- RS-artikelnummer:
- 264-562
- Tillv. art.nr:
- QH8KE5TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 25 enheter)*
94,65 kr
(exkl. moms)
118,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 975 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 3,786 kr | 94,65 kr |
| 100 - 225 | 3,602 kr | 90,05 kr |
| 250 - 475 | 3,333 kr | 83,33 kr |
| 500 - 975 | 3,069 kr | 76,73 kr |
| 1000 + | 2,957 kr | 73,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-562
- Tillv. art.nr:
- QH8KE5TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | QH8 | |
| Kapseltyp | TSMT-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 202mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie QH8 | ||
Kapseltyp TSMT-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 202mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM 100 V 2,0 A dubbel N-kanalig effekt-MOSFET i ett TSMT8-paket är utformad för högeffektiva switchade strömförsörjnings- och motorstyrningstillämpningar.
Låg på-resistans
Litet ytmonteringspaket TSMT8
Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS
Halogenfri
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8KB6
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8KC6
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8KC5
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8KB5
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 40 V Förbättring, TSMT-8, RQ7L055BG AEC-Q101
- ROHM Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8MB5
- ROHM Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8MC5
- ROHM Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSMT, QH8MA3