ROHM N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, RUF025N02

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
183-5622
Tillv. art.nr:
RUF025N02TL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

RUF025N02

Kapseltyp

SOT-323

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

160mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

10V

Maximal effektförlust Pd

800mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.8mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.1mm

Höjd

0.82mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
JP
Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.

Low voltage(1.5V) drive type

Nch Small-signal MOSFET

Small Surface Mount Package

Pb Free

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.