ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 250 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1C002ZP

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

1 551,00 kr

(exkl. moms)

1 938,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +0,517 kr1 551,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
148-6908
Tillv. art.nr:
RE1L002SNTL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

250mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

RE1C002ZP

Kapseltyp

SOT-416

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

12Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

150mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

0.96 mm

Längd

1.7mm

Höjd

0.8mm

Fordonsstandard

Nej

Lågspänning (12 V) drivtyp

Pch MOSFET med liten signal

Litet ytomonterat hölje

Blyfri/RoHS-kompatibel

Relaterade länkar