ROHM N Kanal, MOSFET, 100 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RUM001L02
- RS-artikelnummer:
- 124-6838
- Tillv. art.nr:
- RUM001L02T2CL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 124-6838
- Tillv. art.nr:
- RUM001L02T2CL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-723 | |
| Serie | RUM001L02 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 150mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -8, +8V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.45mm | |
| Längd | 1.3mm | |
| Bredd | 0.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-723 | ||
Serie RUM001L02 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 150mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -8, +8V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.45mm | ||
Längd 1.3mm | ||
Bredd 0.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM
MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RUM002N02
- ROHM N Kanal, MOSFET, 250 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RSM002N06
- ROHM N Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RUM002N05
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 100 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RZM001P02
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RZM002P02
- ROHM N Kanal, MOSFET, 10.3 A 0.9 V N, SOT-723, RYM002N05
- Toshiba 1 N Kanal Enkel, MOSFET 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723
- onsemi N Kanal, MOSFET, 990 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, NTK3134N