DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

158,60 kr

(exkl. moms)

198,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 +3,172 kr158,60 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
823-2915
Tillv. art.nr:
DMG6601LVT-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

TSOT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

190mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.3W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.4nC

Framåtriktad spänning Vf

0.75V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Bredd

1.6mm

Standarder/godkännanden

AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0

Längd

2.9mm

Höjd

0.9mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Dubbel N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.