DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 520 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-963 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 122-3245
- Tillv. art.nr:
- DMC2990UDJ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 10000 enheter)*
10 650,00 kr
(exkl. moms)
13 310,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 10000 + | 1,065 kr | 10 650,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 122-3245
- Tillv. art.nr:
- DMC2990UDJ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 520mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-963 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 350mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Bredd | 0.85mm | |
| Standarder/godkännanden | J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Höjd | 0.45mm | |
| Längd | 1.05mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 520mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-963 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 350mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Bredd 0.85mm | ||
Standarder/godkännanden J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Höjd 0.45mm | ||
Längd 1.05mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Dubbel N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 520 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-963 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 620 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 6.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101