DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101

Antal (1 rulle med 10000 enheter)*

10 750,00 kr

(exkl. moms)

13 440,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
10000 +1,075 kr10 750,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
122-1467
Tillv. art.nr:
DMN2300UFB4-7B
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

DMN

Kapseltyp

X2-DFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

500mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.6nC

Maximal effektförlust Pd

500mW

Framåtriktad spänning Vf

0.7V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

1.05mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.35mm

Bredd

0.65mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MOSFET, 12 V till 28 V, Diodes Inc


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.