DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 540 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN2991UFO AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 244-1922
- Tillv. art.nr:
- DMN2991UFB4-7B
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (25 enheter, i en förpackning med 25)*
9,23 kr
(exkl. moms)
11,53 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 4 175 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | 0,369 kr | 9,23 kr |
| 500 - 975 | 0,358 kr | 8,95 kr |
| 1000 - 2475 | 0,35 kr | 8,75 kr |
| 2500 - 4975 | 0,34 kr | 8,50 kr |
| 5000 + | 0,332 kr | 8,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-1922
- Tillv. art.nr:
- DMN2991UFB4-7B
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 540mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | DMN2991UFO | |
| Kapseltyp | X2-DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 990mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.35nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.44W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 1.05mm | |
| Bredd | 0.65mm | |
| Höjd | 0.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 540mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie DMN2991UFO | ||
Kapseltyp X2-DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 990mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.35nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 0.44W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 1.05mm | ||
Bredd 0.65mm | ||
Höjd 0.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
0,4 mm profil idealisk för lågprofiltillämpningar
Låg spänningsgräns för grind
Helt blyfri och helt RoHS-kompatibel
Halogen- och antimonfri grön enhet
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 540 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN2991UFO AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 500 mA 12 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 410 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN31D5UFO AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 200 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 510 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMP22D5UFO AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMP AEC-Q101