DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 540 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN2991UFO AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-1922
Tillv. art.nr:
DMN2991UFB4-7B
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

540mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

X2-DFN

Serie

DMN2991UFO

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

990mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

0.44W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.35nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

650μm

Längd

1.05mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

400μm

Fordonsstandard

AEC-Q101

DiodesZetex MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.

0,4 mm profil idealisk för lågprofiltillämpningar

Låg spänningsgräns för grind

Helt blyfri och helt RoHS-kompatibel

Halogen- och antimonfri grön enhet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.