STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FDmesh

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

72,69 kr

(exkl. moms)

90,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 536 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 972,69 kr
10 - 9942,09 kr
100 +34,53 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
761-0629
Tillv. art.nr:
STW20NM60FD
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

FDmesh

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

290mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

37nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal effektförlust Pd

214W

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

15.75mm

Bredd

5.15mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

20.15mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal FDmeshTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.