Vishay N Kanal, MOSFET, 9 A 60 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 1 enhet)*

4,06 kr

(exkl. moms)

5,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Tejp(er)
Per tejp
1 - 244,06 kr
25 - 992,62 kr
100 +1,57 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
904-973
Tillv. art.nr:
SIA4620DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

PowerPAK

Typ av fäste

Ytmontering

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

0.023Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

17.9W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

ROHS

Längd

2.05mm

Bredd

2.05mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
IL
Vishays N-kanal MOSFET är utformad för effektiv strömhantering. Den utmärker sig i olika tillämpningar tack vare sina högpresterande mätvärden och kompakt förpackning, vilket gör den idealisk för moderna elektroniska konstruktioner.

Fungerar vid en maximal dräneringskällspänning på 60 V

Har låg påslagningsresistans för ökad effektivitet

Ger en kontinuerlig dräneringsström på upp till 8,6 A vid 25 °C

Innehåller omfattande tester för tillförlitlighet och prestanda

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.