Vishay N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 1 enhet)*

4,06 kr

(exkl. moms)

5,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Tejp(er)
Per tejp
1 - 244,06 kr
25 - 992,62 kr
100 +1,57 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
904-971
Tillv. art.nr:
SI3462DV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TSOP-6

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Ytmontering

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

0.023Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.4nC

Maximal effektförlust Pd

4.2W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

ROHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
IL
Vishays effekt-MOSFET levererar exceptionella prestanda för omkopplingstillämpningar, ger tillförlitlig styrning i krävande elektroniska kretsar och säkerställer effektiv drift i olika miljöer.

N-kanalstrukturen stöder effektiv omkoppling med minimalt motstånd i påläge

Maximal drain-källspänning på 60 V förbättrar mångsidigheten i applikationen

Låg grind-källströskelspänning säkerställer kompatibilitet med ett brett utbud av drivkretsar

Optimerad för termisk prestanda med låg termisk resistans, vilket förbättrar effektiviteten

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.