Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 3.4 A 30 V Förbättringsläge, 6 Ben, P, SI
- RS-artikelnummer:
- 829-363
- Tillv. art.nr:
- SIA432BDJ-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
8,74 kr
(exkl. moms)
10,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 16 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,74 kr |
| 10 - 99 | 6,05 kr |
| 100 - 499 | 3,81 kr |
| 500 - 999 | 2,46 kr |
| 1000 + | 1,79 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 829-363
- Tillv. art.nr:
- SIA432BDJ-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | P | |
| Serie | SI | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0192Ω | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 15.6W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 2.05mm | |
| Längd | 2.05mm | |
| Höjd | 0.75mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp P | ||
Serie SI | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0192Ω | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 15.6W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 2.05mm | ||
Längd 2.05mm | ||
Höjd 0.75mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Vishays högpresterande N-kanal MOSFET är utformad för effektiv strömhantering i olika tillämpningar. Dess robusta konstruktion möjliggör tillförlitlig funktion under krävande förhållanden.
30 V drain-källspänning underlättar mångsidigt användningsområde
Max. påslagningsresistans på 0,0192 Ohm vid 10 V förbättrar energieffektiviteten
Konfigurerad som en enda enhet, vilket optimerar utrymme och prestanda
Utformad med TrenchFET-teknik för överlägsna omkopplingsförmågor
Relaterade länkar
- Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 3.4 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SI
- Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 149 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SI
- Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 6 A 30 V Förbättringsläge, 8 Ben, TSOP-6, SI
- Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 6 A 30 V Förbättringsläge, 6 Ben, TSOP-6, SI
- Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 14.2 A 100 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SISS
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -120 A -60 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-263, SI
- Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 125 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SIR
- Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 33.7 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SISS