STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 6 A 1200 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK-2, MDmesh K5 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 814-401
- Tillv. art.nr:
- ST2H8N120K5AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 1000 enheter)*
34 406,00 kr
(exkl. moms)
43 008,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 3000 | 34,406 kr | 34 406,00 kr |
| 4000 + | 34,269 kr | 34 269,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 814-401
- Tillv. art.nr:
- ST2H8N120K5AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Kapseltyp | H2PAK-2 | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.65Ω | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 165W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 15.55mm | |
| Längd | 10.98mm | |
| Bredd | 10.98mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Kapseltyp H2PAK-2 | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.65Ω | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 165W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 15.55mm | ||
Längd 10.98mm | ||
Bredd 10.98mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET levererar tillförlitlig högspänningsprestanda för krävande tillämpningar, vilket säkerställer optimal effektivitet och effekttäthet i fordonsmiljöer.
Fordonsklassad, AEC-Q101-kvalificerad för ökad tillförlitlighet
Ultralåg grindladdning och mycket låg meritfaktor för minskad effektförlust
1200 V maximal dränering-källspänning med en maximal dräneringsström på 6 A
Utformad med Advanced MDmesh K5-teknik för överlägsen termisk prestanda
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 6 A 1200 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK-2, STH285N10F8-6AG AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, MDmesh K5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, MDmesh K5
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 292 A 100 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK, STH285N10F8-6AG AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 292 A 100 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK, STH280N10F8-6
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 292 A 100 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK-2, STH285N10F8-2AG AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 292 A 100 V Förbättringsläge, 3 Ben, H2PAK-2, STH280N10F8-2
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5