STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 58 A 650 V Förbättringsläge, 4 Ben, PG-TO-247, STH285N10F8-6AG
- RS-artikelnummer:
- 800-466
- Tillv. art.nr:
- STW65N040M9-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
85,79 kr
(exkl. moms)
107,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 85,79 kr |
| 10 - 49 | 83,22 kr |
| 50 - 99 | 80,64 kr |
| 100 + | 69,44 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 800-466
- Tillv. art.nr:
- STW65N040M9-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 58A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | STH285N10F8-6AG | |
| Kapseltyp | PG-TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 37mΩ | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 321W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | ECOPACK | |
| Längd | 15.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 58A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie STH285N10F8-6AG | ||
Kapseltyp PG-TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 37mΩ | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximal effektförlust Pd 321W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 21.1mm | ||
Bredd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden ECOPACK | ||
Längd 15.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET är baserad på den mest innovativa super-junction MDmesh M9-tekniken, lämplig för medel-/högspännings-MOSFET med mycket låg RDS(on) per område.
Mycket låg FOM (RDS(on)·Qg)
Högre dv/dt-kapacitet
Utmärkta omkopplingsegenskaper
Lätt att köra
100 % avalanche-testade
Utmärkt omkopplingsprestanda tack vare den extra drivande källans pin