Vishay N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 25 A 200 V MOSFET, 8 Ben, PowerPAK 8 x 8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 790-426
- Tillv. art.nr:
- SQJQ190E-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 50 enheter)*
2 768,65 kr
(exkl. moms)
3 460,80 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 55,373 kr | 2 768,65 kr |
| 500 - 1200 | 35,889 kr | 1 794,45 kr |
| 1250 - 4950 | 18,973 kr | 948,65 kr |
| 5000 - 24950 | 18,455 kr | 922,75 kr |
| 25000 + | 17,945 kr | 897,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 790-426
- Tillv. art.nr:
- SQJQ190E-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | MOSFET-moduler för fordon | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.075Ω | |
| Kanalläge | MOSFET | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp MOSFET-moduler för fordon | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.075Ω | ||
Kanalläge MOSFET | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Vishays N-kanal MOSFET levererar robusta prestanda för fordonstillämpningar, utformad för att hantera hög ström och spänning med effektivitet. Dess avancerade konstruktion garanterar tillförlitlighet i krävande miljöer.
Klassad för en drain-source-spänning på 200 V
AEC Q101-kvalificerad för fordonsstandarder
Kan hantera kontinuerliga avtappningsströmmar på upp till 95 A
Stöd för en maximal kopplingstemperatur på 175 °C
Relaterade länkar
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 47 A 30 V MOSFET, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 58 A 100 V MOSFET, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 49 A 80 V MOSFET, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 95 A 100 V MOSFET, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dubbel N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 21 A 60 V MOSFET, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, -4.4 A 60 V MOSFET, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 105 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 189 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101