Vishay Dubbel N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 21 A 60 V MOSFET, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101

Denna bild representerar endast produktgruppen

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 10 enheter)*

131,49 kr

(exkl. moms)

164,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 03 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 9013,149 kr131,49 kr
100 - 4908,59 kr85,90 kr
500 - 9906,81 kr68,10 kr
1000 - 29906,238 kr62,38 kr
3000 +5,309 kr53,09 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
790-425
Tillv. art.nr:
SQJ768ELP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Dubbel N-kanal

Produkttyp

MOSFET-moduler för fordon

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

21A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PowerPAK SO-8L

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

0.0305Ω

Kanalläge

MOSFET

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Maximal effektförlust Pd

35W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
Vishay Automotive dubbel N-kanal effekt-MOSFET erbjuder robusta prestanda över ett brett temperaturområde, utformad för att effektivt hantera omkopplings- och drivapplikationer i fordonssystem.

TrenchFET-effekt-MOSFET-teknik säkerställer effektiv drift

AEC Q101-kvalificerad för tillförlitlighet i fordonstillämpningar

100 % R- och UIS-testad för garanterad prestanda

Låga resistansvärden bidrar till förbättrad effektivitet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.