Vishay P-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, -4.4 A 60 V MOSFET, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 790-420
- Tillv. art.nr:
- SQ4961CEY-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
142,46 kr
(exkl. moms)
178,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 17 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 14,246 kr | 142,46 kr |
| 100 - 490 | 8,826 kr | 88,26 kr |
| 500 - 990 | 6,843 kr | 68,43 kr |
| 1000 + | 4,626 kr | 46,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 790-420
- Tillv. art.nr:
- SQ4961CEY-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET-moduler för fordon | |
| Kanaltyp | P-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -4.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.085Ω | |
| Kanalläge | MOSFET | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.3W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET-moduler för fordon | ||
Kanaltyp P-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -4.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.085Ω | ||
Kanalläge MOSFET | ||
Maximal effektförlust Pd 3.3W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Vishay Power MOSFET erbjuder hög prestanda i fordonstillämpningar, med en dubbel P-kanalkonfiguration utformad för att effektivt hantera spänning upp till 60 V under extrema temperaturförhållanden på 175 °C.
AEC Q101-kvalificerad för fordonstillförlitlighet
100 % R- och UIS-testning säkerställer konsekvent drift
Dubbel P-kanalkonfiguration ökar designflexibiliteten
Låg påslagningsresistans förbättrar energieffektiviteten
Relaterade länkar
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 58 A 100 V MOSFET, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 49 A 80 V MOSFET, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 95 A 100 V MOSFET, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dubbel N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 8 A 40 V MOSFET, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dubbel N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 21 A 60 V MOSFET, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 25 A 200 V MOSFET, 8 Ben, PowerPAK 8 x 8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 47 A 30 V MOSFET, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 5.4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101