Vishay Dubbel N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 8 A 40 V MOSFET, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 790-419
- Tillv. art.nr:
- SQ4940CEY-T1_BE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
133,73 kr
(exkl. moms)
167,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 13,373 kr | 133,73 kr |
| 100 - 490 | 8,288 kr | 82,88 kr |
| 500 - 990 | 6,429 kr | 64,29 kr |
| 1000 + | 4,39 kr | 43,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 790-419
- Tillv. art.nr:
- SQ4940CEY-T1_BE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Dubbel N-kanal | |
| Produkttyp | MOSFET-moduler för fordon | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.024Ω | |
| Kanalläge | MOSFET | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11.2nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 4W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Dubbel N-kanal | ||
Produkttyp MOSFET-moduler för fordon | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.024Ω | ||
Kanalläge MOSFET | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.2nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 4W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Vishays effekt-MOSFET är utformad för fordonstillämpningar och ger effektiv prestanda i krävande miljöer. Den har dubbel N-kanalfunktionalitet, idealisk för olika elektroniska styrsystem.
Fungerar vid en dräneringskällspänning på 40 V för tillförlitlig prestanda
AEC Q101-kvalificerad för att säkerställa hög tillförlitlighet i fordonstillämpningar
Utformad för en maximal kontinuerlig dräneringsström på 8 A, vilket stöder höga effektbehov
Materialkategorisering som uppfyller industristandarder för miljösäkerhet
Relaterade länkar
- Vishay Dubbel N Kanal, MOSFET, 23.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dubbel N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 21 A 60 V MOSFET, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs, 8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4940CEY AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, -4.4 A 60 V MOSFET, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 58 A 100 V MOSFET, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dubbel N-kanal Kanal, MOSFET, 7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4946CEY AEC-Q101
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 19.8 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 49 A 80 V MOSFET, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101