Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 111 A 440 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 762-915
- Tillv. art.nr:
- IMT44R015M2HXTMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 441,30 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
145,71 kr
(exkl. moms)
182,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 996 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 145,71 kr | - |
| 10 - 99 | 101,58 kr | 441,30 kr |
| 100 - 999 | 84,45 kr | 6 126,00 kr |
| 1000 - 1999 | 81,42 kr | 64 290,00 kr |
| 2000 + | 78,51 kr | 134 400,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-915
- Tillv. art.nr:
- IMT44R015M2HXTMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 111A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 440V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Kapseltyp | TO-LL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 62nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 341W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 10.1mm | |
| Höjd | 11.88mm | |
| Bredd | 2.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 111A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 440V | ||
Serie CoolSiC | ||
Kapseltyp TO-LL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 62nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 341W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 10.1mm | ||
Höjd 11.88mm | ||
Bredd 2.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET är idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktare och har Benchmark gate-tröskelspänning. Dessutom har den XT-anslutningsteknik för bästa termiska prestanda i klassen.
100 % avalanche-testade
Rekommenderad grindstyrningsspänning
Godkänd för industriella tillämpningar
Används för energilagring, UPS och batteridrifttagning
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 68 A 440 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, CoolSiC
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 440 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, CoolSiC
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-LL, CoolSiC
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 111 A 400 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 94 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 104 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 65 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 46 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC