Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 762-912
- Tillv. art.nr:
- IMW40R045M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
85,90 kr
(exkl. moms)
107,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 223 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 85,90 kr |
| 10 - 99 | 57,23 kr |
| 100 - 479 | 46,26 kr |
| 480 - 1199 | 40,99 kr |
| 1200 + | 36,29 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-912
- Tillv. art.nr:
- IMW40R045M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 400V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 130W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 20.8mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 400V | ||
Serie CoolSiC | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 130W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 20.8mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon CoolSiC MOSFET är idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktare och har Benchmark gate-tröskelspänning. Dessutom har den XT-anslutningsteknik för bästa termiska prestanda i klassen.
100 % avalanche-testade
Rekommenderad grindstyrningsspänning
Godkänd för industriella tillämpningar
Används för energilagring, UPS och batteridrifttagning
Relaterade länkar
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 94 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 104 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 65 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 46 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 112 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 46 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 65 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC