Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 94 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 762-968
- Tillv. art.nr:
- IMW40R015M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
147,28 kr
(exkl. moms)
184,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 237 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 147,28 kr |
| 10 - 99 | 89,15 kr |
| 100 - 479 | 81,42 kr |
| 480 + | 78,51 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-968
- Tillv. art.nr:
- IMW40R015M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 94A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 400V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 273W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 62nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 20.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 94A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 400V | ||
Serie CoolSiC | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 273W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 62nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 20.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon CoolSiC MOSFET är idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktering. Den använder .XT-anslutningsteknik för bästa termiska prestanda i klassen och den rekommenderade gate-driftspänningen 0 V till 18 V.
Kopplingsrobust, snabb kroppsdiod
100 % avalanche-testade
Godkänd för industriella tillämpningar
400 V driftspänning
Relaterade länkar
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 104 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 65 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 46 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 112 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 46 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 65 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC