STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- RS-artikelnummer:
- 719-658
- Tillv. art.nr:
- STP100N8F6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
24,86 kr
(exkl. moms)
31,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 420 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 24,86 kr |
| 10 - 99 | 12,32 kr |
| 100 - 499 | 10,75 kr |
| 500 - 999 | 8,62 kr |
| 1000 + | 7,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 719-658
- Tillv. art.nr:
- STP100N8F6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.009Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 176W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 100nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Längd | 15.75mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie STP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.009Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 176W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 100nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.6mm | ||
Längd 15.75mm | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET har utvecklats med STripFETTM F6-teknik med en ny grindgrindstruktur. Den resulterande Power MOSFET har mycket låg RDS(on) i alla höljen.
Mycket lågt motstånd under drift
Mycket låg grindladdning
Hög motståndskraft mot laviner
Låg effektförlust för grinddrivning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 2 Ben, TO-252, STP
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 56 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP25
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperMESH