STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 248-9687
- Tillv. art.nr:
- STP60N043DM9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
87,98 kr
(exkl. moms)
109,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 724 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 87,98 kr |
| 10 - 99 | 71,17 kr |
| 100 - 499 | 70,30 kr |
| 500 + | 69,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 248-9687
- Tillv. art.nr:
- STP60N043DM9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | STP | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 245W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | UL | |
| Bredd | 10.4mm | |
| Längd | 28.9mm | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie STP | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 245W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden UL | ||
Bredd 10.4mm | ||
Längd 28.9mm | ||
Höjd 4.6mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics-produkt är en N-kanals effekt-MOSFET baserad på den mest innovativa superjunction MDmesh DM9-tekniken, lämplig för MOSFET med medel- eller högspänning med mycket låg RDS på per område kopplad med en snabb återställningsdiod. Den silikonbaserade DM9-tekniken drar nytta av en tillverkningsprocess med flera dräneringar som möjliggör en förbättrad enhetsstruktur. Den snabba återhämtningsdioden med mycket låg återhämtningsladd, tid och RDS på gör denna snabba superkopplingseffekt-MOSFET skräddarsydd för de mest krävande högeffektiva bryggtopologierna och ZVS-fasförskjutningsomvandlare.
Husdiod för snabb återhämtning
Världens bästa RDS på per område bland kiselbaserade snabba återställningsenheter
Låg grindladdning, ingångskapacitet och motstånd
100-procentigt lavintestat
Extremt robust dv/dt
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP