STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 2 Ben, TO-252, STP

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

9,86 kr

(exkl. moms)

12,32 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 257 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +9,86 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
719-650
Tillv. art.nr:
STD70N10F4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N-kanal

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

STP

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Ytmontering

Antal ben

2

Maximal drain-källresistans Rds

0.0195Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

85nC

Maximal effektförlust Pd

125W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.2mm

Höjd

2.4mm

STMicroelectronics STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET-teknik är bland de senaste förbättringarna, som har skräddarsyts speciellt för att minimera motståndet i on-state, med en ny grindstruktur som ger överlägsen omkopplingsprestanda.

Exceptionell dv/dt-kapacitet

Extremt lågt on-resistans RDS(on)

100 % avalanche-testade

Relaterade länkar