STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 2 Ben, TO-252, STP
- RS-artikelnummer:
- 719-650
- Tillv. art.nr:
- STD70N10F4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
28,11 kr
(exkl. moms)
35,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 227 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 28,11 kr |
| 10 - 99 | 16,91 kr |
| 100 - 499 | 12,99 kr |
| 500 - 999 | 11,20 kr |
| 1000 + | 9,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 719-650
- Tillv. art.nr:
- STD70N10F4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | STP | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 2 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0195Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Längd | 6.2mm | |
| Bredd | 6.6mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie STP | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 2 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0195Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.4mm | ||
Längd 6.2mm | ||
Bredd 6.6mm | ||
STMicroelectronics STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET-teknik är bland de senaste förbättringarna, som har skräddarsyts speciellt för att minimera motståndet i on-state, med en ny grindstruktur som ger överlägsen omkopplingsprestanda.
Exceptionell dv/dt-kapacitet
Extremt lågt on-resistans RDS(on)
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics P-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 2 Ben, TO-252, G-HEMT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 268 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 397 A 60 V Förbättring, 6 Ben, H2PAK, STH